- 近年來，首次直接解決了EUV光刻中二次電子噪聲的統計及其對缺陷概率的影響[1]。在本文中，我們將考慮一些更新的 EUV 抗蝕劑模糊模型，包括化學放大 （CAR） 和金屬氧化物 （MOR） 類型。首先，讓我們回顧一下推導 EUV 隨機缺陷概率的過程，同時考慮二次電子噪聲。光子吸收的特征是經典的分裂或變薄泊松分布[2]。假設每個吸收的EUV光子釋放的電子數遵循整數的均勻分布作為概率質量函數[1]。當考慮電子散射時，由此產生的有效“模糊”將嘈雜的光子吸收曲線替換為以模糊比例參數為特征的平滑曲線。然而，這只會更新
- 關鍵字：
電子噪聲 抗蝕劑 模糊模型 EUV 缺陷密度
缺陷密度介紹
您好，目前還沒有人創建詞條缺陷密度!
歡迎您創建該詞條，闡述對缺陷密度的理解，并與今后在此搜索缺陷密度的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
